三星准备推出第9代280层V-NAND闪存，将在ISSCC 2024做展示

ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）将于2月18日至22日在美国旧金山举行，此前大会已确认，三星将介绍其最新的GDDR7内存技术，速率达到了37Gb/s，为16Gb模块。

据TomsHardware报道，三星正在准备发布第9代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，达到了280层，相比第8代V-NAND技术的236层有了进一步的提高。其存储密度达到了28.5Gb mm²，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm²。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。

作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。不过当时三星称层数将超过300层，比现在的280层还要更高一些。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。

据了解，三星在ISSCC 2024上将展示这款280层QLC 3D NAND闪存。此外，三星还打算展示新一代DDR5芯片，频率达到了8000 MHz，为32Gbit模块，采用了三星第五代10nm级工艺技术制造。